Компания Samsung, еще толком не оправившись после провала смартфона Galaxy Note 7, запустила производство однокристальных систем для мобильных устройств по нормам 10-нанометрового техпроцесса. В настоящее время 10 нанометров полностью освоила только она, но в скором будущем аналогичный конвейер заработает на фабрике TSMC.
Samsung использует в производстве новых 10-нанометровых SoC технологию FinFET, пишет портал ZDNET. Процессоры характеризуются транзисторами с уникальной трехмерной структурой, а новый техпроцесс позволит им снизить потребление энергии на 40% по сравнению с текущими 14-нанометровыми чипами. Другими словами, при сохранении прежней емкости аккумуляторов смартфоны и планшеты будут реже нуждаться в подзарядке.
Также новый 10-нанометровый техпроцесс выгоднее 14-нанометрового на этапе производства: данная методика позволит уместить на одной кремниевой пластине на 30% больше готовых чипов, что в итоге снизит их себестоимость и рекомендуемую цену готовых пользовательских устройств. Если же сравнивать производительность, то и здесь 10 Нм лучше 14 Нм: новые процессоры быстрее на 27% в сравнении с предшественниками.
Первые мобильные устройства на базе 10-нанометровых центральных процессоров поступят в продажу уже в начале следующего года. Одним из них станет новый флагман Galaxy S8 от самой Samsung, анонс которого уже назначен на конец февраля 2017 года и пройдет в Барселоне на шоу Mobile World Congress 2017. Также стало известно, что именно Samsung наладит производство процессоров Qualcomm Snapdragon 830, тоже 10-нанометровых, на своем заводе. По слухам, именно 830 станет основой одной из комплектаций S8. Данный чип будет поставляться с новыми ядрами Kryo 200 и видеокартой Adreno 540 вместе с модемом Х16 LTE и поддержкой ОЗУ LPDDR4X.
