Разрешите сайту отправлять вам актуальную информацию.

07:50
Москва
18 декабря ‘24, Среда

Оперативная память стандарта GDDR6 появится в 2018 году

Опубликовано
Текст:
Понравилось?
Поделитесь с друзьями!

Компания Samsung ведет разработку нового стандарта памяти для видеокарт, в настоящее время известного как Post GDDR5. О его существовании стало известно на мероприятии Hot Chips, где представители корейского вендора недвусмысленно намекнули на скорый релиз спецификаций нового стандарта, сравнив его с текущим GDDR5.

Согласно информации портала PC World, новая память для видеокарт в итоге будет называться GDDR6 и сможет работать на частотах вплоть до 15 ГГц. Для сравнения, нынешние модули GDDR5 поддерживают частоту лишь до 10 ГГц, а недавно вышла улучшенная память GDDR5Х с поддержкой уже 12 ГГц. Конечно, разница не столь существенна, но зато ждать релиза GDDR6 долго не придется — производство соответствующих модулей стартует уже в 2018 году, и тогда же будут представлены первые видеокарты с новой памятью, как настольные, так и мобильные.

Поскольку GDDR6 нацелена на использование не только в настольных, но также в портативных компьютерах, важным моментом является ее энергоэффективность. По сравнению с GDDR5 уровень потребления энергии должен снизиться как минимум на треть, то есть игровые ноутбуки смогут еще дольше работать без подзарядки даже на пиковых нагрузках. Следующим этапом развития данного типа памяти станут модули с кодовым названием QDR, частота которых достигнет впечатляющих 16 ГГц. Их появление запланировано на 2020 год.

Samsung также рассказала о третьем поколении памяти HBM, которое назовут просто HBM3. Она выйдет в 2019 или 2020 году, и ждать так долго придется потому, что модули HBM первого и второго поколений в настоящее время мало где используются ввиду их высокой себестоимости.

Samsung уже работает над решением этого вопроса и скоро начнет производство более доступных модулей HBM. Для снижения цены модулей из них была удалена поддержка протокола коррекции ошибок ЕСС, а количество межслойных соединений было уменьшено вдвое. Однако частота памяти выросла в 1,5 раза, а пропускная способность составила 200 Гб/с против 256 Гб/с у HBM второго поколения.

Реклама