Intel анонсировала технологию 3-D Tri-Gate, которая позволит производить более мощные и энергоэкономичные процессоры по 22-нанометровой технологии. Прирост производительности процессоров составит до 37%.
Компания Intel объявила о своей готовности перейти на принципиально новую технологию производства чипов. Технология 3-D Tri-Gate, которую представители компании называют «прорывом в эволюции», основана на трехмерной структуре транзистора. До сих пор во всей электронике использовались так называемые «планарные» транзисторы. В пресс-релизе компании говорится, что переход к трехмерной структуре значительно снизит рабочее напряжение чипа, а значит и его энергопотребление.
Процессоры, произведенные по 22-нанометровой технологии с использованием разработки 3-D Tri-Gate, будут значительно более производительными (прирост до 37%) и энергоэффективными, чем существующие сейчас на рынке решения. Для сравнения — процессоры с трехмерными транзисторами будут так же производительны как и текущие решения на основе технологии 32-нм, потребляя при этом в два меньше мощности.
Intel является единственной компанией, готовой уже сейчас внедрить технологию 3-D Tri-Gate в производство. Разработка трехмерных транзисторов совместно с компанией Texas Instruments была начата еще пять лет назад и завершилась только сейчас. Никаких подробностей новой технологии компания Intel, естественно, не раскрывает.
Дебют технологии трехмерных транзисторов намечен на конец 2011 года. Впервые она будет реализована в процессорах семейства Intel Core Ivy Bridge, которые предназначаются для ПК. Не будут обделены и мобильные решения Intel Atom — в этом случае у процессоров ARM появится мощный конкурент. Растущий рынок мобильных устройств — планшетных компьютеров, е-ридеров и смартфонов — очень интересует Intel. Так, в ближайшие три года компания запланировала выпустить сразу три поколения энергоэффективных процессоров Atom.
